Pensé en hacer una descarga inteligente para baterías AA usando una placa Arduino. Por lo tanto, tuve la necesidad de romper el circuito de descarga cuando se alcanzó un cierto voltaje en la batería. Después de leer libros y artículos, determiné que para esta tarea hay dos opciones para resolver el problema: la primera es romper el circuito de descarga utilizando un relé controlado por 5 voltios; el segundo, utilizando un potente transistor de efecto de campo MOSFET.
Esquema de designación:
He seleccionado el IRFZ44N Transistor de efecto de campo de canal inducido (MOSFET) IRFZ44N.
Documentación para IRFZ44N - IRFZ44N_en.PDF
Ver archivo en línea:
Para abrirlo (la reducción del voltaje entre los terminales “fuente” y “drenaje” disminuirá considerablemente), es necesario aplicar un voltaje al terminal “puerta”, que se denomina “voltaje umbral en la puerta”.
Para el transistor IRFZ44N, el "voltaje de puerta de compuerta" se normaliza de 2 voltios a 4 voltios.
A partir de la documentación (ver foto de arriba), podemos determinar qué resistencia tendrá el transistor entre la fuente y el drenaje en el voltaje de la puerta en relación con la fuente de 4.5 voltios y el voltaje aplicado a la fuente y al drenaje (circuito de descarga). En el diagrama vemos que en Uc = 4.5 V, Uc = 1.5 V, la corriente a través del transistor es Ic = 7 A. Ahora calculamos la resistencia entre los terminales de drenaje de fuente usando la ley de Ohm: Ric = 1.5 / 7 = 0.214 ohmios. De la documentación sabemos que la resistencia de un transistor completamente abierto es Rds (encendido) = 0.0175 ohmios. Voy a descargar la batería con una corriente de no más de 0.5 amperios. Determinamos qué potencia se liberará en el transistor a una corriente de 0.5 A: P = 0.5 * 0.5 * 0.214 = 0.0535 W. Creo que el transistor se calienta un poco.
Recibí 10 transistores IRFZ44N comprados en Aliexpress, decidí verificar todo y tomar una foto. Comprobado Lcr-t4 - metro.
Vt en las fotografías corresponde al voltaje de umbral en el obturador.
Costo: ~ 8